非隔离大电流1A芯片WT5110

WT5110做「非隔离大电流1 A」方案完全可行，但要注意它只是控制器（外置MOS），能否真正跑到1 A取决于外围器件与散热设计。下面把关键点一次说清：

WT5110本身能力
• 控制方式：峰值电流模式PWM，外置高压MOSFET，理论上可驱动>2 A的MOS。
• VIN范围：85 VAC～265 VAC（整流后≈120-375 VDC）。
• FB基准：1.25 V，通过R1/R2任意设定输出（例：12 V/1 A或15 V/1 A）。

“跑1 A”需要的外围
a) MOSFET：耐压≥500 V，Rds(on)≤1 Ω，TO-220/252封装；例如6N65F（6 A/650 V）。
b) 储能电感：500 µH～680 µH，饱和电流≥1.8 A；
c) 续流二极管：快恢复≥600 V/2 A；如SF28。
d) Sense电阻：Rs = 0.33 Ω/0.5 W（峰值限流≈1.8 A）。
e) 输出电容：低ESR电解220 µF-100 V或固态并联100 µF-25 V，纹波<100 mVpp。

散热估算（12 V/1 A=12 W输出）
• MOS损耗≈I²·Rds(on)·D≈(1²·0.8 Ω·0.3)=0.24 W；加TO-220小散热片即可<60 ℃。
• Diode损耗≈VF·I·(1-D)=0.9 V·1 A·0.7≈0.63 W；贴铜皮或加小散热片。

PCB快速要点
• MOS源极到Rs到GND走线最短且粗铜；Rs两端Kelvin到CS脚防噪。
• SW节点铜箔尽量小但足够散热；开尔文FB分压靠近输出端子。

BOM示例（AC→12 V/1 A）

MB6S整流桥
C_in:10 µF/400 V电解 + π滤波22 µH+100 nF/630 V薄膜
MOSFET: 6N65F
L:680 µH/2 A饱和
D:SF28
C_out:470 µF/25 V固态+100 µF陶瓷并联
Rs:0.33 Ω/0.5 W
结论：WT5110＋合适的外置MOS+磁件+散热即可轻松实现「非隔离大电流1 A」12-15 W级方案，外围并不复杂，重点是把MOS和二极管的散热做到位即可长期稳定运行。