120V-150V转12V500mA降压恒压WT5118

WT5118 是一颗专门针对 120 V – 150 V 高压输入、固定 12 V/0.5 A（500 mA）输出场景设计的降压恒压电源芯片，非常适合需要直接从高压母线取电的小功率系统。

关键性能
.输入范围：120 V – 150 V DC（可短时承受更高浪涌）。
.输出：固定 12 V，最大可持续输出电流 500 mA（峰值可达 600 mA）。
.转换效率：满载时 ≥85 %（典型值），轻载自动降频，待机功耗 <100 mW。
.工作频率：65 kHz – 130 kHz PWM/PFM 混合调制，兼顾 EMI 与效率。

保护功能
.过压保护（OVP）：>115 % × Vout 立即关断，打嗝恢复。
.过流/短路保护（OCP/SCP）：逐周期限流，持续短路进入 hiccup。
.过温保护（OTP）：结温 >150 ℃ 自动降额或关断，迟滞 30 ℃。

典型外围（BOM ≤15 pcs）
.电感：DR105-220 μH/0.5 A Sat≥0.7 A。
.MOSFET：内部集成 200 V/1 A Power MOSFET，无需外挂。
.续流二极管：推荐 SS110 (100 V/1 A SMA)。
.Vout 分压：FB pin 直接接地即可锁定 12 V；如需微调可串接 0 Ω–100 kΩ。
.RC Snubber：100 Ω + 470 pF，抑制开关节点振铃。

PCB layout 要点
.SW、BST、GND 环路面积 <1 cm2；高压走线远离信号区域，开槽爬电≥2 mm/kV。
.VIN→CIN→IC→L→D→COUT→回到 VIN 形成最小闭环。
.FB 走线贴地屏蔽，远离电感和开关节点。

热设计
.SOP-8EP 封装，底部散热焊盘必须打 ≥9 via/0.3 mm to GND plane。
.Ta=25 ℃、Vin=150 V、Iout=500 mA 时芯片温升 ≈45 ℃；如需全封闭壳体，预留铜箔≥2 cm2。

EMI/安规
.CISPR-22/EN55032 Class B @150 kHz–30 MHz，可通过调整 RCD Snubber & Y-cap 轻松过检。
.IEC62368-1 SELV/Class II（无隔离），输入-输出耐压>1 kV DC。

一句话总结：直接用 WT5118，把 120–150 V高压降到 12 V/500 mA，外围极简、效率≥85 %，并具备全套保护功能，适合照明、继电器驱动、工业传感器等高压直取应用。